IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極（jí）型（xíng）晶體管）是一種（zhǒng）混合了MOSFET和（hé）BJT（雙（shuāng）極（jí）性晶體管）優點的半導體器（qì）件，廣泛用於高效能電力電子轉換中，如逆變器、開（kāi）關電源和電動機控製係統。它結合了MOSFET的高（gāo）輸入阻抗和BJT的低導通壓（yā）降特性（xìng）。

IGBT工作原理（lǐ）可以分為兩個主要部分（fèn）：導通狀態和關斷狀態。

1. 導通狀（zhuàng）態

IGBT的結構包括一個MOSFET的柵（shān）極（Gate）和（hé）一個BJT的集電（diàn）極（Collector）-發射極（Emitter）。其導通過程類似於MOSFET的工作原（yuán）理，當給柵極施加足（zú）夠的正向電壓時，柵極和發射極之（zhī）間的電（diàn）場作用會讓MOSFET部分導通，進（jìn）而驅動雙極型（xíng）晶體管（guǎn）（BJT）的基（jī）極，使（shǐ）得BJT導通，電流從集電極流向發射極。這時IGBT處於導通狀態，可以傳導較大的電流。

導通時，IGBT的柵極幾乎不消耗電流（類似於MOSFET），但集電極到發射（shè）極的電流則由BJT的特性主導，因（yīn）此（cǐ）在（zài）導通（tōng）時電壓降較低，導（dǎo）通（tōng）損耗較小。

2. 關斷狀態

當柵（shān）極電壓（yā）變為負值或（huò）零時，MOSFET部分首先關斷，從而中斷雙極型晶體管的基極電流。沒有基極電流的支持（chí），BJT會迅速關斷，使得IGBT整體進入關斷狀態，集電極到發射極的（de）電流停止流動。

由於IGBT的雙極特性，在關斷過程中會有一定的存（cún）儲（chǔ）電荷效應，這（zhè）會導（dǎo）致關斷時（shí）的延遲，但現代IGBT已經通過優化設計（jì）減小了這個問題。

IGBT的主要特（tè）點：

1. 高輸（shū）入阻抗：IGBT的柵極類似於MOSFET，輸入阻抗很高，因此隻（zhī）需很小的柵極電流便可驅動，易（yì）於控製。

2. 低導通損耗：由（yóu）於IGBT在導通時表現（xiàn）為BJT的（de）工作特性，其導通損（sǔn）耗（hào）較低，特別適用於大電流應用。

3. 適用於（yú）高電（diàn）壓（yā）和（hé）大電（diàn）流場合：IGBT常用於電力（lì）電子設備中，適合中高壓（yā）、大電流（liú）的應用環境。

總結來說，IGBT通（tōng）過將MOSFET和BJT的優點（diǎn）結合在一起，在高效能電力電（diàn）子應用中實現了高電流開關和低損耗操作。