龍騰（téng）半導體（tǐ）的多層外（wài）延產品主（zhǔ）要包括（kuò）超結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。這些（xiē）產品采用了先進的多層外延工藝（yì），這是一種在矽襯（chèn）底上（shàng）通過多次摻雜（zá）和熱推進來生長多層摻雜不同的外延層的技（jì）術。這種工藝可（kě）以實現高電壓承受能力和低導通電阻的特性，使得超結MOSFET非（fēi）常適（shì）合用於需要高效能功率管理的應用（yòng）場景。

超結MOS工藝介紹

多層外延工藝 (Multi-EPI)

• 開發背景：多層外（wài）延工藝是較早被開發出來的、較為成熟的超結MOS製造技術（shù）。

• 工藝特點：

  • 基於平麵矽生（shēng）長技術。

  • 通過在外延生長過程中形成多個PN結來構建超結結構。

  • 具（jù）有更高的電壓承（chéng）受能力以及更低的導（dǎo）通電阻。

  • 相比傳統SuperJunction技術，能夠進一步降低生（shēng）產成本。

• 優點：

  • 在漏電控製、高溫可靠性及長期可靠性（xìng）方麵表現優異。

  • 動態特性（xìng）優良，因為（wéi）整個外延過程基於平整界麵生長，減少了外延位錯缺陷。

• 缺點（diǎn）：

  • 製備工藝相對複雜（zá），導致成本較高。

  • 光（guāng）刻控（kòng）製難度較大。

深溝槽（cáo）工藝 (Deep-Trench)

• 工（gōng）藝特點（diǎn）：

  • 一種更為巧妙且相對簡單的實現（xiàn）超結技（jì）術（shù）的方法。

  • 首先通過（guò）外延設備生長一（yī）層幾十微米厚（hòu）的外延層（céng）。

  • 然後利用深槽刻（kè）蝕設備雕刻出高寬比很大的溝槽，並通過外（wài）延方式填充該溝槽以形成P柱結構。

• 優點：

  • 工藝簡單，成本較（jiào）低。

  • 減少了晶體缺陷，從而提高了產品的（de）可靠性和（hé）穩定性。

• 缺點：

  • 溝槽側邊與底部蝕刻形貌難以精確控製至平滑狀態。

  • 在深寬比大的情況下（xià），外（wài）延填充時容易在溝槽底部產生不規則空（kōng）洞，影響芯片長期工作時的可靠性。

  • 由於界麵接近突變結，動態（tài）特性相對較差（chà），在（zài）應用中可能麵臨（lín）一定挑戰。

這兩種工藝各有優劣（liè），選擇哪一種取決於具體的應用需求、製造工藝的可行性以及其他因素如成本考量等。對於追求高性能但預算有限的（de）情況，深溝槽工藝可能是更經濟的選擇；而對於那些對器件性能有著極高要求的應用，則可能會傾向（xiàng）於采用多層外延工藝。龍騰半導體提供的超結（jié）MOSFET產品線涵蓋（gài）了多種（zhǒng）規格（gé）和技術參數，適（shì）用（yòng）於新能源（yuán）汽車、充電樁、通信電源等多個領域。

以下為龍騰650V 多層外延產品具體規格：