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揚傑科技推出外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構（gòu）製程技術 超低導通電壓(VF)橋式整流器

揚傑科技超低導通電壓(VF)橋式整流器係列(封裝（zhuāng）6KBJGBU/JA)采用自製的外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構製程技術，其通（tōng）過（guò）增加截止環和終端鈍化層，多次的光照製程, 來實現超低導（dǎo）通電壓(VF), 較低的高溫漏電流，優良（liáng）的可靠（kào）性. 適（shì）用於各種應用（yòng）中的橋式整流器，進而提升整體電源效能和更穩定的可靠度（dù）。

在超低導通電壓（yā）(VF)橋式整流器係列中更推出領先市場（chǎng）的800V產品(電（diàn）流包含了15A/25A/ 35A), 其800V的反向耐壓, 在雷擊(Surge) 測試驗證（zhèng）上優於同業600V產品, 超群（qún）的（de）電性性（xìng）能和穩定的可靠性, 擁（yōng）有領先同業超低導通電壓(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效降耗。另外因采用外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構製程技術, 故反向恢複QRR/IRM小，恢複特性軟，EMI特性優, VF弱溫度係（xì）數，較低（dī）的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好，即便如此嚴苛的應用環境下, 也（yě）能確保客戶應用上的可靠性（xìng）和穩定性。一般用於要（yào）求（qiú）高的高（gāo）功率領域。包括AI電（diàn）源、 服務（wù）器電源、PC電（diàn）源(80+白金/鈦金PC電源)、通信電源、遊戲機（jī）電源等高功率應用。


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LOW VF產品（pǐn）芯片差異對比：


采用外（wài）延(EPI)+平（píng）麵工藝(Planar)結構製程技術, 超低導通電壓（yā）(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效降耗, 反（fǎn）向恢複QRR/IRM小，恢複特性軟，EMI特性（xìng）優, 較低的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 一般（bān）用於要（yào）求高的高功率領域。

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平麵工藝(Planar)結構製程技術, VF / IR 在常（cháng）溫和高溫, 均優於常規（guī）VF(GPP), 助力客戶提效降耗. GBJU2508 耐壓（yā）800V產品, 在雷擊(Surge) 測（cè）試驗證上優於600V產品。


圖片

結（jié）語

圖片（piàn）

綜上，揚傑科技600V/800V超低導通電壓橋式整流器（qì）係列，憑（píng）借外延+平麵工藝的創（chuàng）新製程，在導通電壓（yā）、反向耐壓（yā）、漏電性能等方麵表現卓越，以超低損耗、高可靠性的優勢，為AI電（diàn）源、服務器電源等高端功率領域的能效提升與穩定運行提供強力支撐，彰顯出其在功率器件（jiàn）領域的技術領先性與市場競爭力。



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