第一電路設計。讓
mos管工作在線性工作狀態，而不是開關狀態。如果用N-mos做開關，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通，P-mos則相反。不完全打開導致壓降過大導致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所（suǒ）以U*I也增大，損（sǔn）耗就是發熱。
第二，工作頻率。這是調（diào）試過程中常見的現象，降頻主要是兩個方麵造成（chéng）的。輸入電壓與負（fù）載電壓之比小，係統幹擾大。對於前者，請（qǐng）注意不要將負載電壓設置得太高，盡管負載電壓高（gāo）時效（xiào）率（lǜ）會更高。對於後者，可以嚐試以（yǐ）下幾個方麵:
1.將最（zuì）小電流設置為較小的值。
2.清潔（jié）布線，尤其是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感（gǎn）的小點或閉合磁路（lù）的電感。
4.加RC低通濾波器，這個效果（guǒ）有點差，C的一致性也（yě）不好，偏差有點大，不過（guò）應該夠照明了。無論（lùn）如何，降頻沒有好處，隻有壞處，所以必須解決。
有時候mos管的頻率太高，主要是對體積的過分追求，導致頻率增加，mos管上的損耗（hào）增加，所（suǒ）以發熱也增加。
第三，散熱設計。電路板散熱設計（jì）不好，電流過大。mos管的標稱電流值一般（bān）需要（yào）散熱好。因此，如果ID小於額定（dìng）電流，則熱量可能嚴重，需要足（zú）夠的輔助散（sàn）熱器。
那麽今天的講解就先到這裏（lǐ）了，以上就是今天的全部內容，相信大家對mos管發熱異常（cháng）的原因也有了一（yī）定的認識。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關於
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