Coolmos過EMI電磁幹擾的控製手段

SEMIHOW利用多層外延工藝實現的COOLMOS產品助力工程師對產品的小型化設（shè）計,並解決（jué）EMI,EMC測試不好通過的問題（tí）。

多層外（wài）延（yán）工藝，通過優化內部的電容和電阻來減少EMI電磁幹（gàn）擾的噪聲（shēng），最大限度的平衡電磁幹（gàn）擾和效（xiào）率，提高產品穩定（dìng）性。

電磁（cí）幹擾EMI相對於其（qí）他友商減少3-5個DB的規（guī）格，更容易通過EMI測試。較其他公司使用的溝槽（cáo）超級結（jié）工藝，這些多層外延（yán）的MOSFET實現了前所未有的性能改進。

諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁幹擾（EMI），電磁兼容（róng）（EMC）受益於（yú）此優勢（shì）。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視（shì）適配器、照明（míng）、音響（xiǎng）和輔助電源的快（kuài）速開關和高功率密度設計（jì）。

目前推出（chū）的量產品種包含600V~900V的電壓係列，同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款（kuǎn）封裝外形（xíng）選擇，可支持纖（xiān）巧型設計。

SemiHow的總部位於韓（hán）國，擁有（yǒu）先進的半導體技術，基於中國和中國（guó）先進半導體技術的高質量生產。

以中國公司的牢固（gù）合（hé）作夥伴（bàn）關係為基礎（chǔ）。具有獨（dú）特競爭能力，並且主要專注於（yú）中國（guó）市場。