LED作為新（xīn）型照明光源，具有高效節能、工作壽命長等優點，目前已廣泛使用於LED顯（xiǎn）示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅動特征需要特定的（de）AC-DC恒流驅動電源（yuán），為了（le）提高電源能效，LED的驅動電源一般采用單（dān）級PFC的拓撲。
如圖（tú）一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入（rù）端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪湧時，浪湧能量很容易傳輸到MOSFET上，高（gāo）壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容（róng）易發生雪崩現象。在開關電源中，研發（fā）工程師要求MOSFET盡可（kě）能少發生或不發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的（de）電壓（yā）超過漏源極額定耐壓並發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示意圖，圖中（zhōng）紅色標（biāo）線為安全工作區的右邊界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超過額定BVDSS，並伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工（gōng）作在此邊界的右邊，超出（chū）安全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標準電路，右圖為雪崩期間的運行波形（xíng）。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進（jìn）入雪崩狀態（tài），雪崩期間漏源極電壓電（diàn）流同（tóng）時存在，其產生的瞬時（shí）功耗達到數KW，會大大影（yǐng）響整個電源的可靠性。且雪崩期間，必須保（bǎo）證其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效。
圖三 雪崩測量電路及波形
在（zài）LED驅動電源，工業控製輔助電源等應用中，電（diàn）源工程師在設計浪湧防護時，可選擇耐（nài）壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量擋在AC 輸入端，讓輸（shū）入端口的MOV防護器（qì）件來吸收，避免MOSFET超過（guò）安全工作區。這樣可以大大提高整機電源的浪湧防護能（néng）力。
LED作（zuò）為21世紀的綠色照明產品，正在大量取代傳統的光源。依托龐大的（de）LED市場，國產器件在SJ MOSFET領（lǐng）域替換進口品牌的潛（qián）力極大。維（wéi）安結合市場和客戶的需求，在產品工藝、封裝上持續創（chuàng）新，針對LED照明領域通用（yòng）的800V以上耐壓的規格，在產品係列、規格尺（chǐ）寸上也更加齊全。那麽，應該如何避免MOSFET應用時的雪崩破壞呢？從浪湧防護的角度來說，電源工程師可以增（zēng）加AC輸入端浪湧防護元（yuán）件的規格，使AC前端器件（jiàn）防護元件吸收掉絕大部分浪湧能量，降低浪湧殘壓，如增加壓敏電阻的尺寸（cùn）、選擇殘（cán）壓更低的（de）壓敏以及（jí）增加RCD浪湧吸收電路等。另外，亦（yì）可選擇更高電（diàn）流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生（shēng）雪崩，但（dàn）更高的ID往往意味著更高（gāo）的（de）成本，故而，選擇（zé）更（gèng）高耐壓規格成為一種更簡易安（ān）全且極具性價比的方案。
維安(WAYON)是電（diàn）路保護元器件及功率半導體（tǐ）提供商。WAYON始終堅（jiān）持（chí）“以客戶為導向，以技術為本，堅持艱苦奮鬥（dòu）”的核（hé）心價值觀（guān）。致（zhì）力於通過（guò）技術（shù）創新引領市場，努（nǔ）力成為全球電路保護（hù）元器件及功率半導體的領（lǐng）先品牌。
LED作為新型照明光（guāng）源，具有高效節能、工（gōng）作壽命長等優點，目前已廣泛使用於（yú）LED顯示、車用電（diàn）子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅（qū）動特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提（tí）高電源（yuán）能效，LED的驅（qū）動電源一般采用單級PFC的拓撲（pū）。
如圖一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入端整流（liú）橋與高（gāo）壓MOSFET之間（jiān）沒（méi）有高（gāo）容量的（de）電（diàn）解電容，在遭遇雷擊浪湧時，浪湧能量很容易傳輸到MOSFET上，高壓（yā）MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易（yì）發（fā）生雪崩（bēng）現象。在開關電源中，研發工程師要求MOSFET盡可能少發生或不發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的電（diàn）壓超過漏（lòu）源極額定耐壓並發生擊穿的現象。圖（tú）二為600V MOSFET的安全工（gōng）作區示（shì）意圖，圖中紅色標線為安全工（gōng）作區的右邊界。雪崩發生（shēng）時，漏源兩（liǎng）端的電壓超過額定BVDSS，並伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此（cǐ）邊界的右邊，超出（chū）安全工作區（qū）（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工（gōng）作區（SOA）
如圖三所示（shì）雪（xuě）崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左圖（tú）為雪（xuě）崩（bēng）測試（shì）的標（biāo）準電路，右圖為雪崩期間的運（yùn）行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電（diàn）壓電流同時存在，其產生的瞬時（shí）功耗達（dá）到數KW，會大大影（yǐng）響整個電源的可靠性。且雪崩期間，必須（xū）保證其溝道溫度不超過額定（dìng）溝道溫度（dù），否則容易導致器件（jiàn）過溫（wēn）失效。
圖（tú）三 雪崩測量電路及波形
在LED驅（qū）動電源，工業控製輔助電源等應用中，電源工（gōng）程師在設計浪湧防護時，可選（xuǎn）擇（zé）耐壓更（gèng）高的MOSFET，耐（nài）壓高的器件可將浪湧能量擋在AC 輸入端，讓輸入端口的（de）MOV防護器件來吸收，避免MOSFET超（chāo）過（guò）安（ān）全工作區。這樣可以大大提高整機電源的浪湧防護能力。
LED作為21世紀的綠色照明（míng）產品，正（zhèng）在（zài）大量（liàng）取代傳統的光源。依托龐大（dà）的LED市場，國產器件在SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛力極大。維安結合市場和客戶的需（xū）求（qiú），在產（chǎn）品工藝（yì）、封裝上持續（xù）創新，針對LED照明領域通（tōng）用的800V以上耐壓（yā）的（de）規格，在產品係列（liè）、規格尺寸上也更加（jiā）齊全。那麽，應該如何避免MOSFET應用（yòng）時的雪崩破壞呢？從（cóng）浪湧防護的角度（dù）來說，電源工程師可以增加（jiā）AC輸入端浪湧防（fáng）護元（yuán）件的規格，使AC前端器件防護元件吸收（shōu）掉（diào）絕大部分（fèn）浪（làng）湧能量，降低浪湧殘（cán）壓（yā），如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增加RCD浪湧吸收電（diàn）路等。另外，亦（yì）可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往往意味著更高的成本，故而，選擇更高耐壓規格成為一種更簡易安全且極具性價比（bǐ）的（de）方案。
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