碳化矽二（èr）極管於1985年（nián）問世。吉田（tián）是在3C-碳化矽上做的。其肖特基勢壘高度通過電容測量為1.15 (0.15) eV，通過（guò）光學響應（yīng）測量為1.11 (0.03) eV。它的擊穿電壓隻有8伏（fú）。第一個6H-碳化矽肖特基二極（jí）管的（de）擊穿電（diàn）壓約為200伏。Bhatnagar報道了（le）第一個高電（diàn）壓400伏6H-SiC肖（xiāo）特基勢壘二極管，具有低導（dǎo）通狀態電壓降(1 V)和無（wú）反向恢複電（diàn）流。隨著碳化矽（guī）單晶、外延（yán）質量和技術（shù）水平的不斷提（tí）高（gāo），越來越多（duō）性能優越（yuè）的（de）碳（tàn）化矽二極管被報道（dào）。
1993年，報（bào）道（dào）了第（dì）一個擊穿電壓超過1000伏的（de）碳化矽二極管。器件的肖特基接觸金屬是鈀。它采用氮型外延，摻雜濃度為110厘米，厚度為10微米。1995年前後出現了高質量的4H-碳化矽單晶。它比6H-碳化矽具有更高的電子遷移（yí）率和更大的臨界擊穿電場，這使得人（rén）們更傾向於（yú）研究4H-碳化矽肖特基二極管。
1995年（nián）首次報道了鎳/4H-碳化矽二極管。外延摻雜濃度為11016厘米，厚度為10微米，擊穿電壓為（wéi）1000伏，100安/厘米時正向壓降（jiàng）為1.06伏，室溫下比導通電阻為210厘米。2005年，中（zhōng）村友紀等人使用鉬作為（wéi）肖特基接觸，擊穿電壓為4.15千伏，比接（jiē）觸電阻為9.07米厘米。肖特基二極管的勢壘高度也隨著退火溫度的增加而增加。在退火溫度為600時，勢壘高度為1.21 eV，而理想因子是穩定的，隨著退火溫（wēn）度的升高（gāo）變化不大。趙建輝利用氮型碳化矽外延和多級結終（zhōng）端擴展技術製作了擊（jī）穿電壓高達10.8千伏的鎳/4H-碳化矽肖特基二極管。外延摻雜濃度（dù）為5.610cm，厚度為115m。肖（xiāo）特基二極管采用多級結終端（duān）擴展技術，保護肖特基結邊緣不被過早擊穿。
碳化矽（guī）二極管在導通過程中（zhōng）沒有（yǒu）額外的載流子（zǐ）注入和存儲，因此反向恢複電流小，關斷過程快，開關損耗小。傳統的矽肖特基二極管隻能用於120-200伏的低壓場合，不適合在150以上（shàng）工作，因為所有金屬與矽的功函數（shù）差不是很大，矽的肖特基勢壘低，矽SBD的反向漏電流大，阻擋（dǎng）電壓低。然而，碳化矽SBD彌補了（le）矽SBD的短缺（quē）。許多金屬（shǔ），如鎳、金、鈀、鈦、鈷等。可以與肖特基勢壘高度超過1 eV的碳化矽形成肖特基接觸。據報道，金/4H-碳（tàn）化矽（guī）接觸（chù）的勢（shì）壘高度可以達到1.73 eV，而鈦/4H-碳化矽接觸的勢壘高度（dù）相對較低，但最高也可以達到1.1 eV。6H-SiC和各種金屬觸點之間的（de）肖（xiāo）特基勢壘高度變化（huà）很大，最小（xiǎo）值（zhí）為0.5 eV，最大值為1.7 eV。因此，SBD已成為碳化矽電力電子器件（jiàn）發展的（de）第一個重點。它是一種集高電壓、高速度、低功耗和（hé）耐高溫於一體的理想器（qì）件。目前，世界上已相繼開發出多（duō）種成功程度很高（gāo）的碳化矽器件。
上（shàng）述（shù）所講解的（de）就是
碳化矽二極管的曆史發展，希望看完能夠對您（nín）有所（suǒ）幫助，如果您想要（yào）了（le）解更多關於碳化矽二極（jí）管的相關信息的話，歡（huān）迎在線谘詢客服或（huò）是（shì）撥打本公司服務熱線（網站（zhàn）右上角）進行谘詢，我們將竭誠為您提供優質的服務（wù）！
