肖特基二極（jí）管是以（yǐ）其發明者肖特基博（bó）士的（de）名（míng）字命（mìng）名（míng）的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型半導體（tǐ）接觸形成PN結的原理，而（ér）是利用金屬（shǔ）-半導體接觸（chù）形（xíng）成（chéng）金屬-半導體結的原理（lǐ）。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接觸)二極管或表麵勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是由貴（guì）金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半導體器件。)A作為正電極，N型半導（dǎo）體B作為負電極，並利用在兩者的接觸表麵上形成的勢壘的整流特性。因為在N型半導體（tǐ）中有大量的電子，而在貴金屬中隻有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散（sàn）到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運（yùn）動。隨著電子（zǐ）繼續從B擴散到A，B表（biǎo）麵上的電子濃度逐漸降（jiàng）低，表麵的電中性被破壞，從而形成電場方向（xiàng）為B A的勢壘。然而，在該電場的作用下，A中的電子也將產生從A到（dào）B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成（chéng）的電場。當建立一定寬（kuān）度的空間電荷（hé）區時，電（diàn）場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
典型（xíng）的（de）肖特基整流器的（de）內部電路結構基（jī）於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由（yóu）鉬或鋁和其他材料製成，以形成阻擋層。二氧化矽(二氧化（huà）矽)用於消除邊緣區域的電場並提高管的耐（nài）壓性。該N型襯底具有非常（cháng）小的（de）導通電阻，並且其（qí）摻雜濃度比H層的摻（chān）雜濃度高100%。在襯底下麵形成一個氮（dàn）陰極層，以降低陰極的接觸電阻。如圖所示，通過調整結構參數，在N型襯底（dǐ）和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘（lěi）的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，並且N型襯底連接到電源的陰極（jí）)，肖（xiāo）特基（jī）勢壘層變得更窄，並且（qiě）其（qí）內部（bù）電阻變得更小。另一（yī）方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘（lěi）的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電阻變大。
肖特（tè）基二極管的結構原理與PN結整流管有很大不同。PN結整流管通常被稱為（wéi）結整流管，而金屬半導管整流管被稱為肖特基整流管。用矽平麵工藝製造（zào）的鋁矽肖特基二極管也已問世，它不僅可以節（jiē）約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數的一致性（xìng）。
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