與（yǔ）PN結器件相比，碳化矽二極管更像是（shì）一種理想的開關。肖特基二極管最重（chóng）要的兩個性能指標（biāo）是其低反向恢複電（diàn）荷(Qrr)和恢複軟化係數。當二（èr）極管電壓變為反向偏置時，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時（shí）間，即反向恢複時間trr。碳化（huà）矽二極管trr小於0.01微秒。它便於（yú）在高頻範圍內使用。一些數據顯示，它的工作頻（pín）率可以達到1兆赫(一些報告（gào）也顯示，它可以（yǐ）達到100千兆赫)。高軟化係數將（jiāng）減少（shǎo）二極管關斷產生的（de）電磁幹（gàn）擾噪（zào）聲（shēng），並減少換向操作幹擾。碳化矽二極管還具有優於PN結（jié）器件（jiàn）的優勢，因（yīn）為它們具有低正向導（dǎo）通電壓和低導通損耗。

　　碳化矽二極管是一種由貴金屬(金（jīn）、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半導體（tǐ）器件（jiàn）。)A作為正電極（jí），N型半（bàn）導體B作為負電（diàn）極，並且使用在（zài）兩者的接（jiē）觸表麵上形成的阻擋層來具有整流特性。因為在N型半導體中（zhōng）有大量的（de）電子，而在貴金屬中隻有非常少（shǎo）量的自（zì）由電子，所以電子從高濃度的（de）B擴散（sàn）到低濃度的A。顯然，在（zài）金屬A中沒（méi）有空穴，因此沒有空穴從A到（dào）B的擴散（sàn）運動。隨著電子繼續從B擴散到A，B表麵上的電子濃度逐漸降低，表（biǎo）麵的電中性（xìng）被（bèi）破壞，從而形成電場方向（xiàng）為B A的勢（shì）壘。然而（ér），在該電場的作用下，A中的電子也將產生從A到B的漂移運動（dòng），從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度的空間電荷區時，電場（chǎng）引起（qǐ）的電子漂移運動（dòng）和不同濃度引起的電（diàn）子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。

　　典型的碳化矽二極管的內部電路結構（gòu）基於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽（yáng）極由鉬或鋁（lǚ）和其他材料製（zhì）成，以形成阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於消除（chú）邊緣區域（yù）的電場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通電阻（zǔ），並且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下麵形成一個氮陰極層，以降低陰（yīn）極的接觸電阻。通過調整結構參數，在N型（xíng）襯底和陽極金屬之（zhī）間形成肖特基勢壘。當（dāng）正（zhèng）向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源（yuán）的陽極（jí），並且N型襯底連接到電源（yuán）的陰極)，肖（xiāo）特基勢（shì）壘層（céng）變得更窄，並且其內部電阻變得更小。另一方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層（céng）變寬，並且其內部（bù）電阻變大。

　　上（shàng）述所講解的就是碳化矽二極管的基（jī）本特征，希（xī）望看完（wán）能夠（gòu）對您有所幫助，如（rú）果（guǒ）您想要了解更多關於碳化矽二（èr）極管的相關信息的話，歡（huān）迎在線谘詢客服或是撥打本公（gōng）司服務（wù）熱（rè）線（xiàn）（網站右上角）進行谘詢，我們將竭誠為您提供優質的服務！