導語：綠星電子的（de）功率元件可在各式電源與電（diàn）機驅動應用中（zhōng）實現更（gèng）高的效率，功（gōng）率密度和成本（běn）效益。 DG-FET™和SuperTrench™產品組（zǔ）合涵蓋20V至200V規格，可同時解決低開關（guān）頻率和高開關頻率問題。

DG-FET™介紹

現代科技對（duì）運算功率的需求日益增高，雲端運算、物（wù）聯（lián）網及社交媒體等主流趨勢，更是發揮了推波助（zhù）瀾的作用（yòng）。能源消耗量因（yīn）此大增，電源轉（zhuǎn）換鏈也因此需要更高的能源效率。

與傳統溝槽式（shì）MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術的DG-FET™是利用額外的多晶矽閘來達成電荷平衡。藉（jiè）由電荷平衡的方式，將致使原（yuán）本MOSFET的空乏區電 場由一維（wéi）電荷變為由二維的電（diàn）荷分布所決定。

因（yīn）此（cǐ）其崩潰電壓將較傳統的溝槽式MOSFET為高。

若將DG-FET™與現今傳統的溝槽（cáo）式（shì）MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件，但DG-FET™可以進一步降（jiàng）低磊（lěi）晶層的（de）阻值，因而可以獲（huò）得（dé）較低（dī）的導（dǎo）通阻抗.

另外，由於（yú）開關雜訊更低，因此采用DG-FET™技術也能有效大幅降低汲級電（diàn）荷。

Silicongear DG-FET™與友商公司Trench關鍵參數MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態（tài）次級驅動電壓：

總結：綠星MOSFET,DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由（yóu）於具（jù）有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導（dǎo）通電阻比其他同類元件至少（shǎo）降低50%，閘電荷（Qg）比其（qí）他裝置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™產品組合涵蓋20V至200V規格，可同時解決低開關頻率和高開關頻率問題。