中（zhōng）芯國際新增多條專利信息，其中一條發明專利名稱為“晶圓的清洗方法”，公開（kāi）號為CN111584340B，法律狀態為已獲授權。

專利（lì）摘要顯示（shì），一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶（jīng）圓；清洗所述晶圓表麵，清洗後的所述晶（jīng）圓表麵呈正電性，晶圓表麵殘留物具有負電性；調（diào）節所述晶圓表麵電性或所述殘（cán）留物的電性，使所述晶圓表麵和所述（shù）殘留物的呈相同電性；對所述晶圓表麵（miàn）進行幹燥，去除所述殘留物。根（gēn）據同性相斥的原理，經（jīng）過調節後所（suǒ）述殘（cán）留物與所述晶（jīng）圓表麵電性相同（tóng），因（yīn）此所（suǒ）述殘留物不會（huì）粘附在所述晶圓的表麵，而是懸（xuán）浮在晶圓表麵的液膜（mó）內。在後續的幹燥過程中，懸浮在液膜內的殘（cán）留物會隨著液膜一（yī）起被去除，提高了產品良率。

中芯國（guó）際指出，目前在半導體器件的的製造工藝中，經常會在具有疊層結構的半導（dǎo）體器件表麵上（shàng）形成（chéng）凸凹不平的結構，通常使用（yòng）化學機械（xiè）研（yán）磨（CMP）工藝平整凸凹不（bú）平的表麵。化學（xué）機械研磨亦稱為（wéi）化學機械拋光，是目前機械加工中唯一（yī）可以實現表麵（miàn）全局平（píng）坦化的技術。化學機械研磨工藝中，一般是（shì）把芯片放在旋轉的研磨（mó）墊（pad）上，再加一定的壓力（lì），使用（yòng）含有拋光顆粒（例如SiO顆粒）的研磨液（slurry），在化學（xué）腐蝕與磨削移除的交互作用下進行平坦化。在化學機械研磨工（gōng）藝之後，研磨（mó）液中的（de）顆粒成為缺陷微粒存在於晶圓表麵，因此必須從晶圓表麵（miàn）完全除去才（cái）能保持半導（dǎo）體器件的可靠性和生產線的清潔（jié）度（dù）。鑒於此，實有必要提（tí）出一種晶圓的清洗方法，以提升清（qīng）洗效果，從而提（tí）高產品的良率。