在現代（dài）電子設備中，電磁幹擾（EMI）是一（yī）個不容忽視（shì）的問題。隨著電子產品的日益複（fù）雜和集成度的提高，EMI問題日益（yì）凸（tū）顯，對產（chǎn）品的（de）性能和穩定性構成了挑戰。超結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種先進（jìn）的功率半導體器件，因（yīn）其（qí）獨特的（de）結構和（hé）性能，在改善（shàn）EMI方麵展現出顯著優勢。本文將探討（tǎo）Semihow超結（jié）MOS如何有效改善EMI。

超結MOSFET技術概述

超結MOSFET，又稱為Super Junction MOSFET或CoolMOS，是一種結合了溝槽工藝和多層外延工藝的新（xīn）型功率MOSFET。相較於傳統VDMOS（Vertical Double-Diffused MOS），超結MOSFET通過在外延層中交替形成高阻的（de）n型區和p型區，顯著降低了單位麵積的特征電（diàn）阻，從而減少了通態功耗（hào）和（hé）開關損耗。此外（wài），超結（jié）MOSFET還具（jù）備更（gèng）高的開關速度和更低的能耗，是高（gāo）壓（yā）、大功率應用中的理想選擇。

Semihow超（chāo）結MOSFET改善EMI的機製

Semihow與（yǔ）三星半導體合作開發的超結MOSFET產品，采用多（duō）層外延工藝（yì），相（xiàng）比溝槽（cáo）工藝，多層外延在EMI抑製方麵（miàn）表現出色。具（jù）體（tǐ）機（jī）製如下：

1. 多層外（wài）延結構減少寄生（shēng）電容（róng）

多層外延工藝通過在外延層中多次掩刻和摻雜，形成了複雜的（de）n型和p型交替區域。這種結構不僅降低了特征（zhēng）電阻，還顯著（zhe）減少了寄生電容。寄生電容是EMI的主要來源之一，因為它會（huì）在開關過程中產生高頻噪聲。超結MOSFET較小的寄生電容能有效降低開關損耗，提高開（kāi）關速度，同時減少EMI的產生。

2. 內置ESD保（bǎo）護二極管

Semihow超結MOSFET產（chǎn）品內置了ESD（靜電放電）保護二（èr）極管。這種二（èr）極（jí）管在器件受到（dào）靜電衝擊時，能夠提供有效的保護路徑，將靜電電荷迅速釋放，從而（ér）避免對器件造成損壞。同時，內置（zhì）ESD保（bǎo）護二極管還能提高浪湧的穩（wěn）定性（xìng）和靜電（diàn）的可靠性，進一步減少（shǎo）由靜電放電（diàn）引起（qǐ）的EMI。

3. 優化的開關特性

超結MOSFET由於具有較低的柵電容和較（jiào）快的開（kāi）關速度，在開關過程中產生的dV/dt和dI/dt較小，這有助於減少通過器件和印刷電路板（bǎn）中的寄生電容電感產生的高頻噪（zào）聲。此外，Semihow通過精確控製製（zhì）造工藝，確保了產（chǎn）品的開關特性一致性和穩定性，進一步減少了EMI的產生。

應用（yòng）實例與市場反饋

Semihow的超結MOSFET產品已在多個領域得（dé）到廣泛應用（yòng），包括三（sān）星（xīng）、LG、華（huá）為、飛利浦、中（zhōng）興等知名企（qǐ）業的產品中。特別是在快充（chōng）、電源、照明、顯示器等市場領域，Semihow的超結MOSFET憑借其優異的EMI性（xìng）能和穩定（dìng）的品質，贏得（dé）了客戶（hù）的廣（guǎng）泛認可。

例（lì）如（rú），HCD70R600超結（jié）MOSFET是Semihow與三星半導體合作開發（fā）的一款產品，導阻僅（jǐn）為0.6Ω，采用多層外延工藝，在快充及PD應用上EMI表現優秀。同時，該產品內置ESD二極管，防靜電能力好，並（bìng）擁有全球優秀（xiù）的（de）晶圓生產（chǎn）品質（zhì）管控體係支持。

結論（lùn）

Semihow超結MOSFET通過多層外延工藝和內（nèi）置ESD保護二極管等（děng）先進技術，有效改善了EMI問題。這（zhè）種器件在高壓、大功率應用中展現出顯著優勢，不僅提高了產品的性能和穩定性，還滿足了現代電（diàn）子設備對電磁兼容性的嚴格（gé）要求。隨著技術的不斷進步和應用（yòng）領域的不斷拓（tuò）展，Semihow超結（jié）MOSFET將在更多領域發揮重（chóng）要作（zuò）用，推動電（diàn）子產業的持續發展。