Semihow HCA60R070F MOSFET 參數詳解

一、基礎參數（shù）概覽

1. 電壓與電流特性

   • 漏源電（diàn）壓（VDS）：600V

   • 漏極電流（ID）：42A（@25℃）

   • 導通電阻（RDS(on)）：70mΩ

   • 柵源電壓（yā）範圍（VGS）：2.5V（最小值）至5V（最（zuì）大值）

   • 最大功耗（hào）（PD）：272W（@25℃）

2. 封裝形式

   • 封裝類型：TO-247

二、核（hé）心技術與結構特點

1. 超結（Super Junction）技術

   • HCA60R070F 采用 超結（SJ）結構，相比傳統平麵（miàn）MOSFET，在高壓場景下顯（xiǎn）著降低（dī）導通電阻（RDS(on)）和開（kāi）關損耗（hào），提升係統效率 。

   • 適用場景：高效率電源轉換（如開（kāi）關電源（yuán）、充電器）、電機驅動等（děng）高壓（yā）高頻應用 。

2. 晶圓與製（zhì）造（zào）工藝

   • 晶圓由（yóu） 三星代工生產，結合（hé）Semihow的（de）功率半導體設計技術，優化了器件性能（néng）和可靠性（xìng） 。

三、關鍵性能（néng）優勢

1. 低導通損耗

   • 70mΩ的低RDS(on)值在高壓應用中減少導通損耗，尤其適合（hé）高功率（lǜ）密度的緊湊型設計 。

2. 溫升控製

   • 優異的散熱性（xìng）能使其在35-65W小體積PD充電器中表現突出，溫升控製優於（yú）同類平麵MOSFET 。

3. 快速反向恢複（Fast TRR）

   • 搜（sōu）索結果中（zhōng）提及 快速反向恢複特性（Fast TRR），可降低開關過程中的能量損耗，提升係統整體效率 。

四、典型應用（yòng）場景（jǐng）

1. 電源係統（tǒng）

   • 開（kāi）關電源（SMPS）、高效率多形態電（diàn）源（yuán）（如PD快充適配器） 。

2. 電（diàn）機驅動（dòng）

   • 工業電機控製、電動車驅動（dòng）模（mó）塊 。

3. 其他領域

   • 汽車電子（如LED照明係統）、消費類電子設備（bèi）的高壓電源管理 。

五、廠商與供應鏈信息

• 製造商：Semihow（韓國（guó）功率半導體公司，成立於2002年（nián）） 。

• 代（dài）理（lǐ）商：東莞市羞羞视频入口電子有限公司

六、注意事項

• 柵極驅動要（yào）求：需確保（bǎo）VGS在2.5-5V範圍內，避免過（guò）壓損（sǔn）壞 。

• 散熱設計：TO-247封裝需配（pèi）合適當散熱方案以發揮最大功耗能力（lì） 。