30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳統的低壓MOS製程(chéng),大幅降低RDS內阻切換損失。
台灣(wān)綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽(cáo)創新技術,將內阻值死磕到底,肉眼可見的(de)出類拔萃。
羞羞视频入口(ruì)電子(zǐ)致力於推動品質專線邁入普惠時代,帶入(rù)千行百業。
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顛(diān)覆業界傳統的低壓MOS製(zhì)程,大幅降低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝(gōu)槽創新(xīn)技術,將內阻值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃。
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