采用第三代DG-FET製程,DG-FET係(xì)列具有高速開關速度,業界優異(yì)的Ron-Crss表現。由於具有(yǒu)緩衝效應,DG-FET係列可以抑製,比SuperTrench係(xì)列更有效地切換噪音和(hé)振鈴。RDS(on)導通電阻比其他同類(lèi)元件至少(shǎo)降低(dī)50%,閘電荷(Qg)比其(qí)他裝置少50%20V至250V規格,可在各式電源與電機驅動(dòng)中實現更高效率。
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