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綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星(xīng)MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用(yòng)第(dì)三代(dài)DG-FET製程,DG-FET係列具有高速開關(guān)速度,業界優異(yì)的Ron-Crss表現。
由(yóu)於具有緩衝(chōng)效應,DG-FET係列可以抑製,比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴。
RDS(on)導通電(diàn)阻比其他同類元件至少降低50%,閘電(diàn)荷(Qg)比其他裝置(zhì)少50%
20V至250V規格,可在各式電源與電機(jī)驅動中實現更(gèng)高效率。11.jpg22.png
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