LSD65R180GMB是一（yī）款 N-Channel MOSFET，其主要參數如下：
• 最大漏源電（diàn）壓 (V_DS)：650 V
• 最大漏（lòu）極電流（liú） (I_D)：20 A
• 最大功（gōng）耗 (P_D)：34 W
• 最大柵源電壓 (V_GS)：±30 V
• 最大門閾電（diàn）壓 (V_GS(th))：5 V
• 總柵電（diàn）荷（hé） (Q_g)：約（yuē） 39 nC
• 輸出電（diàn）容 (C_oss)：約（yuē） 1250 pF
• R_DS(on)：最大約（yuē） 0.18 Ω

龍騰半導體多層外延MOS技術介紹
技術概述

龍（lóng）騰半導體自（zì）主開發的超高壓950V超結（jié）SJ MOS平台（tái）采用了先進的（de）‌多次外延結構設計‌，這是一種創新的功率半導體技術。該技術在保證高耐壓（yā）的基礎（chǔ）上，有效減少（shǎo）了器件內部的寄生電容，進一步優化了開關過程中的能量損失。

技術（shù）特點（diǎn）與優（yōu）勢

極低導通損耗‌

Rsp(比導通電阻（zǔ）)較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗
可在植物照（zhào）明（míng）電源等應用中實現更高能效

超快動態性能（néng）‌

FOM(Qgd)優化14.5%
開關損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%
助力高頻電源設計簡化

卓（zhuó）越（yuè）可靠性‌

Trr(反向恢複時間)縮短13.6%，減（jiǎn）少開關噪聲
多次外延工藝（yì）增強了器件耐壓能力
支持950V高壓場景下的長期穩定運行

工藝創（chuàng）新‌

采用多次外延結構（gòu）設計
優化了器件內部電場分布
提高了（le）整體性能和可靠（kào）性
應用領域

龍騰半導體多（duō）層外延MOS技術廣（guǎng）泛（fàn）應用於以下領（lǐng）域：

應用領域（yù） 具體應用場景
電源（yuán）係統 LED驅動電源、適配器、PD充電器、開關電源、計算機及服務器電源
新能源 光伏逆變器、儲（chǔ）能係統、充電樁
工業電（diàn）子 電池化成電源、工業電源
消費電（diàn）子 便攜儲能設備（bèi）、戶外電（diàn）源
技術對比分析

與傳統MOSFET技術相比，龍騰半導體多層外延MOS技術具有顯著優勢：

與傳統平麵VDMOS對比‌

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
提升了係統效（xiào）率
保持（chí）了（le）輸入阻抗高、開（kāi）關速度（dù）快、工作頻率高等優點

與（yǔ）常規超結MOSFET對比‌

采用多次外延工藝，增強了耐壓能（néng）力
優（yōu）化了內部電場（chǎng）分布
提高了（le）開關（guān）性能和可靠性

市（shì）場（chǎng）定位‌

填補了國產高端功率半導體器件空白
在950V高壓應用場景具有競爭優勢
適用於對能效和可靠性要求高的應用
技術發展前景

隨著可再生能源、新能源汽車及5G通信（xìn）等領域的蓬勃發（fā）展，功率半導體的需（xū）求持續攀升（shēng）。龍騰半導體（tǐ）多層外延（yán）MOS技術（shù）憑借其高性能和可靠性，有望在以下領域獲得更廣泛應用：

新能源汽車‌：車（chē）載充電機（jī）、DC-DC轉（zhuǎn）換器等
工業自動化‌：伺服驅動、工（gōng）業電源等
數據中心‌：服務器電源（yuán）、UPS等
智能家居‌：高效電源適配（pèi）器等

該技術的持（chí）續創新將助力我國功率半導體產（chǎn）業（yè）提升國際競爭力，滿足日益增長的高效能源（yuán）轉換需求。