LSD65R650GMB
龍騰(téng)半導(dǎo)體LSD65R650GMB功率MOSFET產品介紹
產品概述(shù)
LSD65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出(chū)的(de)一款高性能N溝道功率MOSFET,采用先進的超結(Super Junction)技術製(zhì)造。該(gāi)產品屬於龍騰半導體650V高壓MOSFET係(xì)列,專為高效率電源轉換應用而設計(jì)。
技術參數
參數名稱 參(cān)數值 備注
漏源電壓(yā)(Vdss) 650V 最大額定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環(huán)境溫度下
柵源極(jí)閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源(yuán)導通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最(zuì)大功(gōng)率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式(shì) TO-220F 符合行業標準
技術類型 超結VDMOS Super Junction技術(shù)
注:以上參數基於類似型號LSD65R650HT的技術規格整理,建議聯(lián)係龍騰半導體獲取LSD65R650GMB的精(jīng)確參數。
產品特點
高效率設計
采用超結(Super Junction)技術,顯著降(jiàng)低導通電阻
相比傳統(tǒng)平麵MOSFET,導通損耗降低約22.3%
優化的柵極電荷特性,減少開關損耗
高可靠性
100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保規範,無鉛無鹵素
優化的熱設計,提高高溫(wēn)工作穩定性
應用友好(hǎo)性
標準TO-220F封裝,便於安裝和散熱設計
與行業主(zhǔ)流MOSFET引腳兼容(róng)
簡化電路設計,降低係統成本
應用領域
LSD65R650GMB適用於(yú)多種高效率電源轉換場景:
應用類別 典型應用
消(xiāo)費電(diàn)子(zǐ) LED驅動電源(yuán)、適配器、PD快充
計算機(jī) 服務器電源、PC電源
工業電子 開(kāi)關電源、工業電(diàn)源
新能源 光伏逆變器輔助(zhù)電(diàn)源
特別適用於需要高效率、高功(gōng)率密度的電源設計場景。
技術優勢
與(yǔ)傳統(tǒng)平麵MOSFET對比
克(kè)服了導通電阻隨(suí)擊穿電壓急劇增(zēng)大的(de)缺點(diǎn)
保持輸入阻抗高、開關速度快的特點
顯著提升係統整體效(xiào)率
與常(cháng)規超結MOSFET對比
優化的內部電(diàn)場分布設計(jì)
增強的耐壓(yā)能力和可(kě)靠性(xìng)
改進的開關特性,降低EMI幹擾
市場定位
填(tián)補國產高端功率半導體器件空白
在650V高壓應用中具有競爭優勢
性價比優於同類進口產品(pǐn)
使用建議
電路設計注意事項(xiàng)
建議(yì)工作電壓不超過520V,留足設計餘量
柵極驅動電阻推薦值10-22Ω,平衡(héng)開關速度與(yǔ)EMI
確保良好(hǎo)的散熱條件,建議使用散熱片
典型(xíng)應用電路(lù)
適用於反激式、正激式等開關電源拓撲
可與PWM控製器如L6565等配合使用
在(zài)LLC諧振轉換器中(zhōng)表現優異
可靠性保障
避免超過最大額定(dìng)參數使用
注意PCB布局,減少寄生(shēng)參數影響
建議進行老化測試驗(yàn)證長期(qī)可靠性
製造商背景
龍騰半導體有限公司是一家專注於新型功率半導體(tǐ)器件研發的高新技術企業,通過ISO9001-2015質量體(tǐ)係(xì)認證(zhèng)。公司在功率半導體領域擁(yōng)有83項專(zhuān)利,並參與製定了超結功率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。
公司產品線涵蓋(gài)超結MOSFET、IGBT、快恢(huī)複(fù)二極管(guǎn)等多(duō)個係列,廣泛應(yīng)用於消費電子、工業電源、新能源汽(qì)車(chē)等領(lǐng)域。龍騰半導體建有國內一流的研發中(zhōng)心和(hé)應用測(cè)試實驗室,持續推動功率半導體技術創新(xīn)。