龍騰半導體 MOS管 LSG65R570GMB 作為采用(yòng)多層外延工藝的超結(jié)MOSFET(SJ MOSFET),在性能與可靠性方(fāng)麵具備顯著優勢,主要受益於以(yǐ)下技術特性:
一、核心性(xìng)能提升
導通損耗優化
多層外延工藝通過精確(què)控製摻雜濃度,顯著降(jiàng)低器件導通電(diàn)阻(R<sub>DS(on)</sub>),相(xiàng)比(bǐ)傳統MOSFET減少25%以上功率損耗,提(tí)升係(xì)統能效。
開關特性增(zēng)強
優化的(de)柵極電荷(Q<sub>g</sub>)設(shè)計降低開關損耗,適配高頻電源拓撲(如LLC、圖騰柱PFC)。
超低反向恢複電荷(Q<sub>rr</sub>)抑(yì)製橋式電路的電壓振蕩,減少EMI幹(gàn)擾。
二、可靠性強化設計
抗浪湧與雷擊(jī)能力
多層(céng)外延結構通過反複注入摻雜提升芯片均勻性,增強(qiáng)抗雪崩能(néng)力(lì)(EAS),在戶外電源、工業設備等(děng)浪湧高風險場景中保障穩定運行。
熱管理優化(huà)
低導通損耗減少發(fā)熱量,降低散熱需(xū)求,支持取(qǔ)消或縮小散熱片,降低成本。
與先進封裝(如TOLL/D²PAK)結合,實現更低(dī)熱阻和更高電流承載能力。
三、小型化與成本優勢
芯片麵積縮減
在同等電壓/電流規格下,多層外延超結MOSFET芯片尺寸比傳統器件縮小30%以上,支持更高功率密度設(shè)計。
係(xì)統級成本降低
小型化芯片適(shì)配緊湊封裝(如TO-220、TOLL),節省PCB空間。
低損耗特性(xìng)減少散熱材料用量,綜合降低電(diàn)源係統物料成本(běn)。
典型應用:適用於65W USB-PD快充、微型逆變器、LED驅動電源等高效率場景,滿足消費電子與工業領域對功率密度和可靠性的雙重需(xū)求。