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全球碳化矽MOSFET主要(yào)品牌及其工廠規模的梳(shū)理-羞羞视频入口電子

以下是碳化(huà)矽MOS(SiC MOSFET)主要品牌及其(qí)工廠規模(mó)的梳理,結合技(jì)術布局和(hé)市場競爭格局(jú)分析(xī):


一、國際品牌

  1. 英飛淩(Infineon)(德國)

    • 工廠(chǎng)規模:馬來西亞居林工廠三期項目建成後將成(chéng)為全球最大8英寸碳(tàn)化(huà)矽晶圓廠,總投資(zī)超50億歐元,覆蓋襯底到封裝全產業鏈(liàn)。

    • 技術(shù)優勢:車規級產品市占率領先,覆蓋650V-1200V電壓範圍,主攻電動(dòng)汽車主驅逆變器市場。

  2. 意法半導體(STMicroelectronics)(瑞士(shì))

    • 工廠規模(mó):全球布局(jú)研發中心,意大利、法(fǎ)國等地設有生產基地,碳化矽(guī)產能持續(xù)擴張以滿足車規需求(qiú)。

    • 市場地位:全(quán)球前五大廠商之一,占約70%市場份(fèn)額,主攻電動汽車和工業(yè)領域。

  3. 羅姆(mǔ)(Rohm)(日本)

    • 工廠規模:在日本、東南亞等地設有SiC晶(jīng)圓廠(chǎng),2023年宣布投資5.1億美元擴產,目標2030年碳化矽營收占比超30%。

    • 技術特點:早期布局碳化矽商業(yè)化,產品(pǐn)覆(fù)蓋(gài)650V-1700V,與車企深度合作。

  4. 安世(shì)半導體(Nexperia)(荷蘭)

    • 工廠規模:荷蘭總部主導研發,美國、馬來西亞(yà)設廠,2024年啟動8英(yīng)寸碳化矽晶圓(yuán)試產,計劃2025年(nián)量產。

    • 應用領域:聚焦電動汽車(chē)驅(qū)動係統和工業變頻器。

  5. Wolfspeed(美國)

    • 工廠規模:全球首家量產8英寸碳化矽襯底,2024年襯底產能支撐25%晶圓產線利用率,計劃進一步擴產。

    • 市場定位:襯底供應龍頭,覆(fù)蓋車規級和工業級市場。


二(èr)、中(zhōng)國品牌

  1. 三安光電(Sanan)

    • 工廠規模:湖南三安(ān)擁有16,000片/月6英(yīng)寸產能(néng),8英寸襯底試生產,車規級MOSFET進入驗證階段。

    • 技術進展:工(gōng)規級1700V/1Ω和1200V/32mΩ產品已在光伏和充電樁領域(yù)小規模出貨。

  2. 士蘭微(Silanw)

    • 工廠規模:2024年開工8英寸SiC產(chǎn)線,總投資120億元(yuán),規劃產能6萬(wàn)片/月,2025年三季度通線。

    • 產品布(bù)局:工(gōng)規級MOSFET量產(chǎn),車規級產品驗證(zhèng)中(zhōng)。

  3. 比亞迪半導(dǎo)體

    • 工廠規模:2024年下半年投產全球最(zuì)大碳化矽工廠,產能為(wéi)第二名的十倍,覆蓋車規全產業鏈。

    • 市場目標:打破海外壟斷,主攻新(xīn)能源汽車主驅逆變器。

  4. 中電科55所(suǒ)

    • 技術地位:國內最早實現碳化矽MOSFET量產,聚焦軍工和高端工業(yè)領域。






    • 泰科天潤(中國碳化矽功率器件核心廠商之(zhī)一)的工廠(chǎng)規模及技術布(bù)局梳理:

5.泰科天潤 湖南瀏陽(yáng)基地

    • 6英寸產線:一期工程於(yú)2023年建成,年產能6萬片;2024年擴建二期(qī)後總產能(néng)提升至10萬片/年。

    • 應用領域:主要生產SiC二極管、MOSFET等器(qì)件,覆(fù)蓋光伏逆變器、充電樁(zhuāng)、電動汽車等領域。

  • 北(běi)京順義總部(bù)基地

    • 8英寸產線:2023年啟動建設,計劃2025年通線投產,2028年達產後年產2萬片8英寸晶圓(yuán)。

    • 功能定位:集研發(fā)中心(xīn)、總部(bù)辦公及高端器(qì)件生產(chǎn)於(yú)一體,重點服(fú)務新能源汽車、國家電網等市(shì)場。

  • 二、產能擴張與投資情況

  • 投資規模:湖南基地總投資(zī)約5億元(一期),北京基地一期投資4億元,累計投資超9億元。

  • 設備與技術:湖南基地(dì)新(xīn)增生產設(shè)備實現6英寸(cùn)晶圓全流程生產,北京基地(dì)引入8英寸先進工藝設備。

  • 三(sān)、技術布局與產品線

  • 核心產品

    • 650V-3300V碳化矽二極管(SBD),覆(fù)蓋1A-100A電流範(fàn)圍;

    • 1200V SiC MOSFET,已實現批量銷售。

  • 技術優勢:通過國(guó)際認證(如AEC-Q101、DNV·GL等),產品性(xìng)能對標國(guó)際大廠。

  • 四、產業鏈整(zhěng)合與市場應用

  • IDM模式:覆蓋襯底、晶圓製造、器件封裝全(quán)產業鏈,自主可控能力突出。

  • 應用領域

    • 新能源(yuán):光(guāng)伏逆變器、儲能係統;

    • 電動汽車:OBC、車載(zǎi)DC-DC;

    • 工業:通信電源、服務器電源。

  • 五(wǔ)、行業地位與發展規劃

  • 國內領先(xiān):中國首家實現碳化矽器件量產的IDM企業,累計流(liú)片超3萬(wàn)片,通過一(yī)線(xiàn)大廠審(shěn)廠。

  • 目標(biāo)規劃:2025年8英寸產線投產後,進一步打破國(guó)際壟斷,提升車規級產品占比


三、市場競爭格局

  • 頭部集中度高:全球前五大廠商(英飛淩、ST、Wolfspeed、羅(luó)姆、安森美)占據約70%市場份額。

  • 技術迭代加速:國際大廠主導8英寸產線升級(jí)(如英飛淩、Wolfspeed),中國廠商主攻6英寸產能擴張(三安、士蘭微)。

  • 應(yīng)用場景:電動汽車占碳化矽市場77%,預計2029年占比(bǐ)增至82%。


數據來源與擴展(zhǎn)

  • 全球市場規模:2023年約27億美元,預計2029年達104億美元

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