MOSFET的基（jī）本工（gōng）作原理
對MOSFET(金屬氧（yǎng）化物半導體場效應晶體管）的基本結構，要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下半導體表麵。
由於缺乏相鄰的原子，某種半導體的表麵總是其理想晶（jīng）格的一種被擾亂的形態。因此，表麵（miàn）常常會生長一層薄的氧（yǎng）化層或吸附一些其他原子（zǐ）和分子。於是（shì），這些表麵層（céng）通常會（huì）帶（dài）電。
以一（yī）種p型半導體為例，假定其表麵帶正電對少量正電（diàn）荷可得在這種表麵，空（kōng）穴的（de）濃度／密度逐漸降低，其導帶和價帶同時向（xiàng）下彎曲，建（jiàn）立起一個厚度為hd的耗盡區。
增大（dà）正電荷量將導致I qVs I > E; - EF
在這種情況下，導帶和價帶彎曲得（dé）更加厲害，對於半導體（tǐ）表麵處的一個較小區域，費米（mǐ）能級更加靠近導帶而不是價帶，從而形成一個厚度為h的反型（xíng）層，在反型（xíng）層中電子是（shì）多數載（zǎi）流子。
緊挨（āi）著反型層的是（shì）厚度為h.的耗盡層（céng），耗盡層把反型層和P區隔開。
如果該p型半（bàn）導體表麵帶負電，所形成的將（jiāng）是空穴累積層。N型半導體（tǐ）的特性（xìng）與之相似：表麵帶正電時形成累積層（céng），表麵帶負電時形成耗盡區（qū）負電荷增多則（zé）形成反型（xíng）層。
接下來，假定在此p型半導體的表麵有一層薄氧化膜，氧化膜上再鍍一層金屬膜。在這層金屬膜上施加一個正向電壓。進一步再添加兩個n+區分別作為源區和
漏區。這（zhè）樣，我們就（jiù）有了一個最簡單的橫向MOS場效應晶體管的例子（zǐ）。正向電（diàn）壓（yā）的作用和正（zhèng）表麵電荷的作用相同：當柵極（jí）上有足夠大的正電壓，兩個
n區就會通過反型層連接起來。由於柵壓Vc>VT,漏極（jí）和源極之間才有（yǒu）電流通過。
柵源閾值電壓Vr(對n溝道（dào） MOSFET):該閾值電（diàn）壓是這樣一個柵（shān）極電壓，在此電壓下產生的電子濃度（dù）等於空穴濃度。
MOS場效應晶體管可分（fèn）為
1)n溝（gōu）道MOSFET:在p區形成（chéng）一個n型溝道（dào）。
2)p溝道 MOSFET:在n區形成一個p型溝（gōu）道。
仔細探查，必須考慮到氧化層在靠近半導體的界麵上含有（yǒu）正電荷。這些電荷的密度在5x10°~1x101/c㎡數（shù）量（liàng）級。而且，功率MOSFET的柵區由n型重摻雜多晶矽層組成),由於n*摻雜多晶矽和p型半（bàn）導（dǎo）體（考慮n溝道MOS-
FET)中（zhōng）費米能級的位置不同（tóng），柵極和半導體之間已經存在了一個電勢差。這兩種效應都以相同的方式起作用，猶如一個外施正柵極電壓，從而導（dǎo）致閾值電壓V,降低。n溝道 MOSFET在p區低（dī）摻雜和氧化（huà）層電荷密度高的情況下，V是負（fù）的，甚至沒有外
加柵極電壓，溝道也會存在。上麵所提到的閾值電壓的定（dìng）義仍然是有效的。
MOSFET 可根（gēn）據柵（shān）極電壓分為
1)耗（hào）盡型：V<0,該器件為常開器件（jiàn），在柵源加（jiā）負電壓vc
2)增強型：Vπ>0,n溝道隻在Vc>Vr時才會形成（常關器件）。
通常情況下（xià），由（yóu）於具有常關特點，電力電子技術中使用的是（shì）增強（qiáng）型MOSFET器件，而且幾乎都（dōu）是n溝道MOSFET.由於電子的遷移率（lǜ）遠遠高於空穴的遷移率，n溝道MOSFET器件更有優勢。現代器件閾值電壓的典型（xíng）值（zhí）被調整到2~4V。
