肖特基二極管通稱(chēng)SBD,它並不是運用PN結基本原(yuán)理製做的,它是以(yǐ)金屬材料為正級,以N型(xíng)半(bàn)導體為負級,運用二者表麵上產(chǎn)生的勢壘(lěi)具備整(zhěng)流器特點而做成的一種半導體元器件,是一種熱載流子二(èr)極管,肖特基二極管(guǎn)在(zài)電源電路中主要是作整(zhěng)流(liú)二極管(guǎn)、續流二極管、維護(hù)二極管等,關鍵用在低壓、大電流量的電源電路中,如電源變壓器、軟啟動器(qì)、逆變電源、光纖通信。 肖特基二極管是貴重金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正級,以N型半導體B為負級,運用二(èr)者表(biǎo)麵上產生的勢壘具備整流器特點而做成的金屬材料-半(bàn)導體元器件。由於N型半導體中存有著很(hěn)多的電子器件,貴重金屬中僅有少量的自由電荷(hé),因(yīn)此 電子器件便從濃度值高的B中(zhōng)往(wǎng)濃度值低的A中外擴散(sàn)。
顯(xiǎn)而易見,金(jīn)屬材料A中(zhōng)沒有空化,也就不會有空化自(zì)A向B的外擴散健身運動。伴隨著電子(zǐ)器件持續從B外擴散到A,B表層電子器件濃度值慢慢減少,表層電荷平衡被毀壞,因此就產生勢壘,其電場方向為B→A。但在該(gāi)靜電(diàn)場功效之中,A中的電子器件也會造成從A→B的飄移健身運(yùn)動(dòng),進而消弱了因為外擴散健身運(yùn)動而(ér)產生的靜電場。當創建起一定總寬的空間電荷區後,靜電場造(zào)成的電子器件飄移(yí)健身運動和濃度值(zhí)不一樣造成(chéng)的電子器件外擴散健身運(yùn)動做到相對性的(de)均衡,便產生了肖特基勢壘(lěi)。
典型性(xìng)的(de)肖特基整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底,在上麵產生(shēng)用(yòng)砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧(yǎng)化應用(yòng)鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化矽(SiO2)來清除邊沿地區的靜(jìng)電場,提升水管的抗壓值。
N型襯底具備不大的通態電阻器,其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下麵(miàn)產生N+負極層,其功效是減少負極(jí)的回路電(diàn)阻。根據優化結構主要參數,N型襯底(dǐ)和陽極氧化金(jīn)屬材料中間便產(chǎn)生肖特基勢壘,如下(xià)圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓(陽極氧化金屬材料插線正級,N型襯底插線(xiàn)負級)時(shí),肖特基勢(shì)壘(lěi)層變小,其內電阻縮小;相反,若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時,肖特基勢壘層則變大,其內電阻(zǔ)增大。
上述所講解的就是
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