碳化矽二（èr）極管（guǎn）比PN結元（yuán）器（qì）件的個（gè）人行為特點更像一個理想化的電源開關。肖特（tè）基二極管最重要的2個性能參數便是它的低反向恢複正電荷(Qrr)和它的修複軟化係數。低Qrr在二極（jí）管工作電（diàn）壓換為（wéi）反方向參考點時，關掉過程中所需時（shí）間，即反向恢複時間trr大大縮短。下列列出肖（xiāo）特基二極管trr低於0.01彼此之間（jiān）。有利於用以高頻率範（fàn）疇，有材料（liào）詳細介紹其輸出功（gōng）率達到1MHz(也是有報導達到（dào）100GHz)。高軟化係（xì）數會降低二極管關（guān）掉所造（zào）成（chéng）的EMI噪音，減少調（diào）速（sù）實際操作影響。

　　碳化矽二極（jí）管還有一個比PN結元器件優異的指標值是正指導接（jiē）電源放低，具（jù）備低的通斷耗損。碳化矽二極管也是有2個缺陷，一是反方向（xiàng）抗壓VR較低，一般僅有100V上下;二是反方（fāng）向泄露電流IR很大。

　　碳化矽（guī）二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級（jí），以N型半導體B為負級，運用二者表麵上產生的勢壘具備（bèi）整流器特點而做成的金（jīn）屬材料-半導體元器件。由於N型半導體中存有（yǒu）著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電（diàn）子器件便從（cóng）濃度值高的B中往濃（nóng）度值低的（de）A中外擴散（sàn）。顯而易見，金屬材（cái）料A中沒有空化，也就不會有空化自A向B的外擴散健身運動。伴隨著電子器件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電（diàn）荷（hé）平（píng）衡被毀壞，因此（cǐ）就產生勢壘，其（qí）電場（chǎng）方向為B→A。但在該靜電場功效之中，A中的（de）電子器件也會造（zào）成從A→B的飄移（yí）健身（shēn）運動，進而消弱了因為外擴散（sàn）健身運動而產生（shēng）的靜電場。當創建起一定總寬的空間電荷區後，靜電場造成（chéng）的電子器件飄移健（jiàn）身運動和濃度值不一樣造成的電子器件外擴散健身運動做到相對性的均衡，便產生了肖特基勢壘。

　　典型性的肖特基整流管的內（nà）部電源電（diàn）路構造是以N型半導體（tǐ）為襯底，在上麵產生用（yòng）砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應用鉬或鋁等原材（cái）料做成阻（zǔ）檔（dàng）層。用二氧化矽（SiO2）來清除（chú）邊沿地區的靜電（diàn）場，提（tí）升水管的（de）抗壓值。N型（xíng）襯底具備（bèi）不大的通態電阻器，其（qí）夾雜濃度值較H-層要（yào）高100%倍。在襯底下麵產生N+負極層，其功效是減少負極的回路電阻。根（gēn）據優化結構主要參數，N型襯底和陽極氧化金屬材料中間便產生肖（xiāo）特基（jī）勢壘，如下圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽極氧化金屬材料插線正級，N型襯底插線負級）時，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮小；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時（shí），肖特基勢壘層則（zé）變大，其內電阻增大。

　　上述所講解的（de）就是碳化（huà）矽二（èr）極管與肖特基整流管的原（yuán）理區別，希望看完能（néng）夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關於（yú）碳化矽二極管的（de）相關信息（xī）的話，歡迎（yíng）在線（xiàn）谘詢客服或是撥打本（běn）公司（sī）服務熱線（網站右上角）進行（háng）谘詢，我們將竭（jié）誠為您提供優質的服務！