龍（lóng）騰半導體（tǐ）LSG65R650GMB TO-252功（gōng）率MOSFET產品介紹
產品概述

LSG65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出（chū）的一款N溝道功（gōng）率MOSFET，采用先進的超（chāo）結(Super Junction)技術製造，封裝形式（shì）為TO-252(DPAK)。該產品屬於龍騰半導（dǎo）體650V高壓MOSFET係列，專為高效率電源轉換應用而設（shè）計，特別適合空間受限的中小功（gōng）率場景。

技術參數
參數名稱 參數值 備注
漏源電壓（yā）(Vdss) 650V 最大額定（dìng）值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵（shān）源極閾值電壓（yā） 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導通電阻（zǔ）(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C時
封（fēng）裝形式 TO-252(DPAK) 表麵貼裝型
技術類型 超結VDMOS Super Junction技術

注：以上參數基於類似型號（hào）LSG65R650HT的技術規格整理（lǐ），建議聯係龍（lóng）騰半導體獲取LSG65R650GMB的精（jīng）確參數。

TO-252封裝特點

結構設計‌

表（biǎo）麵貼裝型（xíng）功率封裝，尺寸比（bǐ）直插式封（fēng）裝小
背麵有較大散熱焊盤，可直接焊接在PCB上
散熱銅箔麵積達25mm²，配合1.6mm厚FR4基板可實現8℃/W熱阻

散熱性能‌

通過PCB進行散熱（rè），需設計大麵積覆銅和散熱過孔
在器件（jiàn）3mm範圍內建議布置溫度傳感器
工作（zuò）環境溫度（dù）超（chāo）過（guò）70℃時建（jiàn）議（yì）添加微型散（sàn）熱鰭片

與TO-220F對比‌

體積（jī）更小，適合（hé）高密度布局和空間受限場景
散熱性能略低於TO-220F，但更節省（shěng）空間
適用於高壓在7N以下，中壓在70A以下環境（jìng）中
產品特點

高效率設計‌

采（cǎi）用超結(Super Junction)技術，顯著降低導通電（diàn）阻
相比傳統平麵MOSFET，導（dǎo）通損耗降低約（yuē）22.3%
優化的柵極電荷特性（xìng），減少開關損耗

高可靠性（xìng）‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保規範，無鉛（qiān）無鹵素
優化的（de）熱設計，提高高溫工作穩定性

應用友好性‌

標（biāo）準TO-252封裝，便於自動化（huà）生（shēng）產
與行業主（zhǔ）流MOSFET引（yǐn）腳兼容
簡化電路（lù）設計，降低係統成本
應用領域（yù）

LSG65R650GMB適用於多種高效率（lǜ）電源轉換場（chǎng）景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適配器、PD快充
計算機 服務器電（diàn）源、PC電源
工（gōng）業電子（zǐ） 開關電（diàn）源、工業電源
新能源 光伏逆變器輔助電源

特別適用於需要高效率、高（gāo）功率密度且空間受限的（de）電源（yuán）設計場景。

使用建議

電路設計（jì）注意事項‌

建（jiàn）議工作電壓不超過520V，留足（zú）設計餘量
柵極（jí）驅動電阻推（tuī）薦值10-22Ω，平衡（héng）開關速度（dù）與EMI
確保PCB散熱（rè）設計（jì）良好，建議使用2oz銅厚

焊（hàn）接工藝‌

回流焊峰值溫度需控製在（zài）260℃以內(10秒持續時間（jiān）)
手工補焊（hàn）時應避免烙鐵直接接觸散（sàn）熱焊盤
維修時需要專用熱風拆焊設備

可靠性保障‌

避免超過最大額定參數使（shǐ）用
注意PCB布局，減（jiǎn）少（shǎo）寄生參數（shù）影響（xiǎng）
建議進行老化測試驗證長期可靠性（xìng）
製造商背景

龍騰半導體有限公（gōng）司是（shì）一家專注於新型功率半導體器件研（yán）發（fā）的高新技術企業，通過ISO9001-2015質量體係認證。公司在功率半導（dǎo）體領域擁有83項專利，並參與製定了超結功率MOSFET國家行業標準（zhǔn）(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線涵蓋超結（jié）MOSFET、IGBT、快恢複二極管等多個係列，廣泛應用於消費電子、工業電源、新能源汽車等領域。龍騰半導體建有國內一流的（de）研發中心和應用測試實驗室，持續推動功率（lǜ）半導體（tǐ）技術（shù）創新。