结构创新（xīn）：核心在于陈院士提（tí）出的CB 及异型岛结构，这（zhè）是一种耐压层上的结构突破，不仅（jǐn）适用于垂直功率 MOSFET，还可应用于（yú）功率 IC 的（de）关（guān）键器件（jiàn）（如 LDMOS、SBD、SIT 等功率半导体器件），被称为 “功率半导体（tǐ）器件发展史上的（de）里程（chéng）碑式结构”。
特（tè）殊构造与（yǔ）性能：阻挡层采用梳状结（jié）构，通过约七次（cì）离子注入 + 二次高温（wēn）扩（kuò）散形成，使得阻挡层电场分布呈（chéng）矩形结构 —— 仅用传统 FET 200V 的阻挡厚（hòu）度，即可承受约 500V 的耐压，最（zuì）终实现导通电阻（zǔ）极低、耐（nài）高压、发热量低（dī）的核心优势，这也（yě）是其 “超结（jié） MOSFET” 名称的由（yóu）来。
SJ-MOS 的Rdson（通态电阻） 远低于 VDMOS，直接减少系统电源类（lèi）产品的导通损耗，显著（zhe）提升系统（tǒng）效率；
优势在（zài）大功率（lǜ）、大电流类电（diàn）源产品中尤为明显，是高效电源设计的关键支撑。
芯片面积优化：相同电流、电压规格下，SJ-MOS 的晶源面积小于（yú） VDMOS，厂家可（kě）封（fēng）装出体积更小的产品，直接提升电源系统的功率密（mì）度；
散热负担减轻：导通损耗降低意味（wèi）着发（fā）热量减少，实际应用中（zhōng）可缩（suō）小散热器体（tǐ）积，部分低功率电源甚至可省去散热器，进一步优化（huà）系统集成度。
结构创新：核心在于陈院士提出的CB 及异型岛结构，这是（shì）一种耐（nài）压层上的结构突破（pò），不仅适用于垂直功率 MOSFET，还（hái）可应用于功率 IC 的关键器（qì）件（如（rú） LDMOS、SBD、SIT 等功率半导体器件），被称为 “功（gōng）率半导体器件发展史上的里程碑（bēi）式结构”。
特殊构（gòu）造与性能：阻挡层采用（yòng）梳状结构，通过约七次离子注入 + 二次高温（wēn）扩散形（xíng）成，使（shǐ）得阻挡层（céng）电场（chǎng）分布呈矩形结（jié）构 —— 仅（jǐn）用传统（tǒng） FET 200V 的（de）阻挡厚度，即可承受约 500V 的（de）耐压，最终实现导通电阻极低、耐高压、发热量低的核心优（yōu）势（shì），这也是（shì）其（qí） “超结 MOSFET” 名称的（de）由来。
SJ-MOS 的Rdson（通态电阻） 远低于 VDMOS，直接减少系统电源类产品的导通损耗，显著（zhe）提升系统效（xiào）率；
优势在大功率、大电流类电源产品（pǐn）中尤为明（míng）显，是（shì）高效电源（yuán）设（shè）计的关键支撑。
芯片面积优化：相同电流、电压规格下，SJ-MOS 的晶源面积（jī）小于 VDMOS，厂家可封装出体积更小的产品，直接提升电源系统的功率密度；
散热负担减（jiǎn）轻：导通损耗降低意味着发（fā）热量减（jiǎn）少，实际应用（yòng）中可缩小散热器体积，部分低功率电源甚至可省去散热（rè）器，进一步优化系统集成度。
Tel: +86-769-21665206
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